SIHP14N50D-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1144pF @100VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHP14N50D-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIHP14N50D-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHP14N50D-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHP14N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SIHP14N50D-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHP14N50D-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIHP14N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： APT15F50K 品牌： 美高森美 封装： TO-220 N-Channel 500V 15mA | 功能相似 | MICROSEMI APT15F50K 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 15A, TO-220 | SIHP14N50D-GE3和APT15F50K的区别 |