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SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

数据手册.pdf
SI7457DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

下降时间 60 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

SI7457DP-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7457DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V 搜索库存