SI4451DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 12 V
上升时间 125 ns
下降时间 235 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4451DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4451DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4451DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道 12 V 8.25 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8 | 搜索库存 |