SI7136DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7136DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7136DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7136DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30A, 20V, 3.2mohm, 10V, 1V | 搜索库存 |