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SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

数据手册.pdf

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0035Ω; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-20V; -55

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 20 Volt 21 Amp 3.5W


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 0.0045 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Newark:
# VISHAY  SI4408DY-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 20 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1 V


SI4408DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 42 ns

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4408DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4408DY-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI4408DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.0035Ω; ID 14A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-20V; -55 搜索库存