SI7742DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 18 ns
下降时间 23 ns
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7742DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7742DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7742DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A, SOIC | 搜索库存 |