SIHF8N50L-E3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 35 ns
下降时间 17 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHF8N50L-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIHF8N50L-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 500V 8A 40W 1Ω @ 10V TO-220FP | 搜索库存 |