SIHP10N40D-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 147 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 400 V
输入电容Ciss 526pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 147 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHP10N40D-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIHP10N40D-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHP10N40D-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHP10N40D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |