SI4884BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
下降时间 8 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4884BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4884BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 30V 16.5A 4.45W 9mohm @ 10V | 搜索库存 |