SI7421DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.043 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -9.80 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Exempt
SI7421DN-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7421DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7421DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 9.8A, POWERPAK | 搜索库存 |