SI4426DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 40 ns
下降时间 40 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SI4426DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4426DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W 25mohm @ 4.5V | 搜索库存 |