SI7703EDN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 90.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.30 W
漏源极电压Vds -20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -6.30 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7703EDN-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7703EDN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |