SI7423DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.8 W
漏源极电压Vds 30.0 V, -30.0 V
连续漏极电流Ids 11.7 A, -11.7 A
上升时间 10 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7423DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |