SIR418DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.00415 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 2410pF @20VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIR418DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIR418DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR418DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V | 搜索库存 |
替代型号SIR418DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR418DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SO-8 N-Channel 40V 40A | 当前型号 | VISHAY SIR418DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V | 当前型号 |
| 型号： SI7790DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 40V 50A | 功能相似 | VISHAY SI7790DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 40V, 50A, SOIC, 整卷 | SIR418DP-T1-GE3和SI7790DP-T1-GE3的区别 |