SIR688DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
阈值电压 1.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
宽度 5.15 mm
封装 PowerPAKSO-8
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR688DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR688DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | 搜索库存 |