SISS40DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3700 mW
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 845pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3700 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 0.78 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
SISS40DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SISS40DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 | 搜索库存 |