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SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7315DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.9 A, -150 V, 0.262 ohm, -10 V

The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies, H-bridge high side switch and load switch applications.

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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size
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100% Rg tested
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100% UIS tested
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Halogen-free
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-50 to 150°C Operating temperature range
SI7315DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.262 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

上升时间 9 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Lighting, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI7315DN-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7315DN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7315DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.9 A, -150 V, 0.262 ohm, -10 V 搜索库存