SQD15N06-42L-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Industrial, Automotive, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQD15N06-42L-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD15N06-42L-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQD15N06-42L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 0.037 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |