SQJ858AEP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
封装 PowerPAKSO-8L-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQJ858AEP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJ858AEP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQJ858AEP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |