SQ2362ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SQ2362ES-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQ2362ES-T1_GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.3A, 60V, 0.125Ω, 10V, 2V New | 搜索库存 |