SI2314EDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.77 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2314EDS-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |