SI4833ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -4.60 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4833ADY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4833ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.85A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |