SI8416DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 13 W
阈值电压 350 mV
漏源极电压Vds 8 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1470pF @4VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 13 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFoot-6
外形尺寸
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.31 mm
封装 MicroFoot-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI8416DB-T2-E1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8416DB-T2-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI8416DB-T2-E1 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 8 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 350 mV | 搜索库存 |