SI3447CDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -7.80 A
上升时间 40 ns
下降时间 20 ns
封装参数
引脚数 6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3447CDV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3447CDV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道12 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 12-V D-S MOSFET | 搜索库存 |