SI3430DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 2.40 A, 1.80 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装 TSOP-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI3430DV-T1-GE3引脚图与封装图
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| SI3430DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3430DV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道 | 搜索库存 |