SIA444DJT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
封装 PowerPAK-SC70-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA444DJT-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA444DJT-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |