SI3442BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.67 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.20 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
封装 TSOP-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI3442BDV-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI3442BDV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3442BDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3442BDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V | 搜索库存 |
替代型号SI3442BDV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3442BDV-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP N-Channel 20V 4.2A | 当前型号 | VISHAY SI3442BDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V | 当前型号 |
| 型号： SI3442BDV-T1-E3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 3A 90mohms | 功能相似 | N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | SI3442BDV-T1-GE3和SI3442BDV-T1-E3的区别 |