SIA440DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 19 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 40 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
宽度 2.05 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, Power Management, LED Lighting, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA440DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA440DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V | 搜索库存 |