SI2307BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
额定功率 750 mW
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 380pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI2307BDS-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2307BDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |