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SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

数据手册.pdf

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 2.2A 4-Pin Micro Foot T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 8V 3.1A 4-Pin Micro Foot T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 2.2A 4-Pin Micro Foot T/R


SI8805EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

上升时间 13 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

长度 0.84 mm

宽度 0.84 mm

高度 0.213 mm

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SI8805EDB-T2-E1引脚图与封装图
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