SI1424EDH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Portable Devices, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1424EDH-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1424EDH-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1424EDH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV | 搜索库存 |