SI3467DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A
上升时间 15 ns
下降时间 18 ns
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3467DV-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI3467DV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3467DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |