
SI8469DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
上升时间 22 ns
下降时间 17 ns
封装参数
封装 MicroFoot-4
外形尺寸
封装 MicroFoot-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8469DB-T2-E1引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI8469DB-T2-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5 | 搜索库存 |