SI3456DDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1700 mW
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 325pF @15VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1700 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SOP
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3456DDV-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI3456DDV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |