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SI7136DP-T1-E3

SI7136DP-T1-E3

数据手册.pdf

MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available * Ultra-Low On-Resistance Using High Density TrenchFET® Gen II Power MOSFET Technology * Qg Optimized * 100 % Rg Tested * 100 % UIS Tested


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 0.0032 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Newark:
# VISHAY  SI7136DP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 20 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1 V


SI7136DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 39 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7136DP-T1-E3引脚图与封装图
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SI7136DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V 搜索库存