SIE822DF-T1-GE3中文资料参数规格
封装参数
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
其他
Packaging Reel
Part-Aliases SIE822DF-GE3
Mounting-Style SMD/SMT
Package-Case PolarPAK-10
Technology Si
Number-of-Channels 1 Channel
Configuration Single
Transistor-Type 1 N-Channel
Pd-Power-Dissipation 5.2 W
Maximum-Operating-Temperature \+ 150 C
Minimum-Operating-Temperature \- 55 C
Vgs-Gate-Source-Voltage 20 V
Id-Continuous-Drain-Current 31 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance 3.4 mOhms
Transistor-Polarity N-Channel
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIE822DF-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE822DF-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V D-S MOSFET | 搜索库存 |