SI4160DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 2071pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4160DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 16.8A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |