SI7703EDN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -6.30 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7703EDN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7703EDN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |