SIS414DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.4 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 13 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SIS414DN-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIS414DN-T1-GE3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SIS414DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIS414DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 600 mV | 搜索库存 |