SI8473EDB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -7.10 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 4
封装 TrenchFET
外形尺寸
封装 TrenchFET
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI8473EDB-T1-E1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI8473EDB-T1-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI8473EDB-T1-E1 晶体管, P沟道 | 搜索库存 |