SI2377EDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
上升时间 1 ns
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI2377EDS-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI2377EDS-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2377EDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.4 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV | 搜索库存 |
替代型号SI2377EDS-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2377EDS-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 P-Channel | 当前型号 | VISHAY SI2377EDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.4 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV | 当前型号 |
| 型号： PMV48XPA 品牌： 恩智浦 封装： P-Channel | 功能相似 | NXP PMV48XPA MOSFET Transistor, P Channel, -3.5A, -20V, 0.048Ω, -4.5V, -1V | SI2377EDS-T1-GE3和PMV48XPA的区别 |