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SI1480DH-T1-GE3

SI1480DH-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1480DH-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

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100% Rg tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range

欧时:
### N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET®,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1480DH-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V


SI1480DH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 0.161 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 130pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, LED Lighting, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1480DH-T1-GE3引脚图与封装图
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SI1480DH-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1480DH-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存