SIE818DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 125 mW
漏源极电压Vds 75.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
封装参数
引脚数 10
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIE818DF-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIE818DF-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE818DF-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道75 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 75-V D-S MOSFET | 搜索库存 |