SI4472DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.047 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1735pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3100 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4472DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4472DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道150 V（ D- S）的MOSFET N-Channel 150 V D-S MOSFET | 搜索库存 |