SIR890DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 10.0 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR890DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIR890DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR890DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR890DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 20 V, 0.0023 ohm, 20 V, 2.6 V | 搜索库存 |