SI4448DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 22 ns
下降时间 33 ns
封装参数
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SI4448DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4448DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4448DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 12V 50A 7.8W 1.7mohm @ 4.5V | 搜索库存 |