SIJ458DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 44 ns
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIJ458DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIJ458DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | 搜索库存 |