SI7463ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0083 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 39 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI7463ADP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7463ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 沟道 40 V 0.0135 Ω 39 W 96 nC 表面贴装 TrenchFET 功率 MosFet - PPAK SO-8 | 搜索库存 |