SUD35N10-26P-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 8.3 W
阈值电压 4.4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 10 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SUD35N10-26P-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | SUD35N10-26P 系列 N沟道 100 V 0.026 Ohms 83 W 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252-3 | 搜索库存 |