SIR402DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 4.2 W
阈值电压 20 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 20 ns
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR402DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIR402DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |